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电磁炉中的IGBT是 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）的简称。它是一种大功率半导体器件，具有功率放大和开关控制的功能，在电磁炉中主要负责控制电流，从而控制加热功率，以达到合适的加热效果。IGBT由BJT（双极型三极管）和MOSFET（绝缘栅型场
