电磁炉中的IGBT是 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）的简称。它是一种大功率半导体器件，具有功率放大和开关控制的功能，在电磁炉中主要负责控制电流，从而控制加热功率，以达到合适的加热效果。
IGBT由BJT（双极型三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）组成，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR（双极型晶体管）的低导通压降两方面的优点。在电磁炉中，IGBT作为开关器件，通过控制其导通和截止，将直流电转换为高频交流电，以产生交变磁场，进而加热锅具和食物。
使用IGBT的电磁炉具有高效、节能、安全等优点，并且由于其高可靠性，成为现代家庭厨房的常见设备。
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